BSM200GB120DLC

BSM200GB120DLC
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM200GB120DLC
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4647816.pdf4647836.pdf
Цены: Розн.104$
Детальное описание компонента BSM200GB120DLC
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 420 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 1550 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок 62MM Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500 order_2_3week 4

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX17801EVMINIQU+ MAX17801EVMINIQU+ Maxim Integrated Products Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием ---
MAX5534ETC MAX5534ETC Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3506663.pdf
CBT16210DG-T CBT16210DG-T NXP Semiconductors Функции универсальной шины 20-BIT BUS SWITCH W/10-BIT OE ---
NJM2368E-TE1 NJM2368E-TE1 --- Схемы управления питанием ---
M5-256/120-7YI/1 M5-256/120-7YI/1 --- Программируемые логические интегральные схемы ---