FF150R12ME3G
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | FF150R12ME3G | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента FF150R12ME3G | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Dual |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 200 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 695 W | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Упаковка / блок | EconoDUAL-3 | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 12 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
DDTD122TC-7 | Diodes Inc. | Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 0.22K | 9564693.pdf |
|
||
MX7845AEWG | Maxim Integrated Products | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) | 2977558.pdf |
|
||
SN74LVTH574DWRG4 | Texas Instruments | Триггеры 3.3V ABT Octal Edge Trgerd DTyp FlipFlop | 4778635.pdf |
|
||
4435.0084 | --- | Автоматические выключатели | --- |
|
||
UUX1V221MNL1GS | --- | Конденсаторы | --- |
|