BSM25GB120DN2

BSM25GB120DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM25GB120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM25GB120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 38 A Ток утечки затвор-эмиттер 180 nA
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок Half Bridge1 Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LL01CR-BR40L LL01CR-BR40L LedLink Optics LED Lighting Lenses Single Lens 19.6x12.5 40 deg 4699970.pdf
NJM2137M-TE2 NJM2137M-TE2 NJR Быстродействующие операционные усилители Wideband High Slew ---
2194A4-12V 2194A4-12V Chicago Miniature Лампы INCND PMI W/WIRE 6387445.pdf
dsPIC33FJ64GP710A-E/PT dsPIC33FJ64GP710A-E/PT Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16Bit 40MIPS 64KB Flash 6020996.pdf
SI9172BH-T1-E3 SI9172BH-T1-E3 --- Схемы управления питанием ---