BSM75GD120DN2
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM75GD120DN2 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Цены: | Розн.160$ | ||
Детальное описание компонента BSM75GD120DN2 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 103 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 320 nA |
Рассеяние мощности | 520 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 3A | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 500 |
order_2_3week | 1 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
FP10R12YT3_B4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | --- |
|
||
PCA82C251T/N3,118 | NXP Semiconductors | ИС, сетевые контроллеры и процессоры CAN TRANSCEIVER 24V SYSTEMS | 9597745.pdf |
|
||
MAX5102BEUE+ | Maxim Integrated Products | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 8-Bit 2Ch Precision DAC | 823772.pdf823793.pdf |
|
||
SI9730BBY-E3 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
906-915 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|