BSM75GD120DN2

BSM75GD120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM75GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.160$
Детальное описание компонента BSM75GD120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 103 A Ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Рассеяние мощности 520 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 3A Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500
order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FP10R12YT3_B4 FP10R12YT3_B4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A ---
PCA82C251T/N3,118 PCA82C251T/N3,118 NXP Semiconductors ИС, сетевые контроллеры и процессоры CAN TRANSCEIVER 24V SYSTEMS 9597745.pdf
MAX5102BEUE+ MAX5102BEUE+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 8-Bit 2Ch Precision DAC 823772.pdf823793.pdf
SI9730BBY-E3 SI9730BBY-E3 --- Схемы управления питанием ---
906-915 906-915 --- Светодиодная индикация ---