BSM75GD120DN2

BSM75GD120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM75GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.160$
Детальное описание компонента BSM75GD120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 103 A Ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Рассеяние мощности 520 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 3A Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500
order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NJL32H360A NJL32H360A NJR Инфракрасные приемники IR Remote Control Receiver ---
177-0973-003 177-0973-003 Dialight Световые панельные индикаторы SUB MIN PANEL IND ---
ELM52753RD ELM52753RD --- Светодиодная индикация ---
AP1501A-T5RG-U AP1501A-T5RG-U --- Схемы управления питанием ---
UCC28517N UCC28517N --- Схемы управления питанием ---