BSM75GD120DN2

BSM75GD120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM75GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.160$
Детальное описание компонента BSM75GD120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 103 A Ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Рассеяние мощности 520 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 3A Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500
order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
C10978_Lily-SST90-M C10978_Lily-SST90-M Ledil Отражатели для осветительных светодиодов LUMINUS SST-90 SNGL REFLECTOR ---
MC56F8033VLC MC56F8033VLC Freescale Semiconductor Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16 BIT DSPHC 64KB 5852392.pdf
UCC25706QDRQ1 UCC25706QDRQ1 --- Схемы управления питанием ---
H11AA1S(TA) H11AA1S(TA) --- Оптопары и оптроны ---
B41458B8109M B41458B8109M --- Конденсаторы ---