BSM300GA120DN2FS_E3256

BSM300GA120DN2FS_E3256
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM300GA120DN2FS_E3256
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT POWER MOD 1200v 300A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.157,5$
Детальное описание компонента BSM300GA120DN2FS_E3256
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 430 A Ток утечки затвор-эмиттер 0.32 uA
Рассеяние мощности 2.5 KW Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 62MM Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
order_2_3week 6

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
25LC256T-H/SN 25LC256T-H/SN --- Микросхемы памяти ---
SST39SF020A-45-4C-NHE SST39SF020A-45-4C-NHE --- Микросхемы памяти ---
M50LPW080N1 M50LPW080N1 --- Микросхемы памяти ---
MP62341DS-1-LF-Z MP62341DS-1-LF-Z --- Коммутационные микросхемы ---
3D32UR 3D32UR --- Автоматические выключатели ---