BSM300GA120DN2FS_E3256
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM300GA120DN2FS_E3256 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT POWER MOD 1200v 300A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Цены: | Розн.157,5$ | ||
Детальное описание компонента BSM300GA120DN2FS_E3256 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Single |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 430 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 0.32 uA |
Рассеяние мощности | 2.5 KW | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | 62MM | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
order_2_3week | 6 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
25LC256T-H/SN | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
SST39SF020A-45-4C-NHE | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
M50LPW080N1 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
MP62341DS-1-LF-Z | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
3D32UR | --- | Автоматические выключатели | --- |
|