BSM100GD60DLC
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM100GD60DLC | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A 3-PHASE | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BSM100GD60DLC | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 130 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 430 W | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 3A | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
BA 892-02V E6127 | Infineon Technologies | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Silicon RF Switching Diode | --- |
|
||
THS7303PWRG4 | Texas Instruments | Видеоусилители 3-Ch Low Power Video | 2570805.pdf |
|
||
MC14536BDWR2 | ON Semiconductor | Таймеры и сопутствующая продукция LOG CMOS OSILATR TIMER | --- |
|
||
45-11UFC/3033015/TR8 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
||
DSS6NC52A151T51B | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|