FS150R12KE3

FS150R12KE3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FS150R12KE3
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A FL BRIDGE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4634119.pdf
Детальное описание компонента FS150R12KE3
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 205 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 700 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPACK Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
1754371-2 1754371-2 TE Connectivity Волоконно-оптические соединители DUPLEX CLIP LIGHT CRIMP PLUS LC ---
THS4011IDRG4 THS4011IDRG4 Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители 290-MHz Low-Dist Volt-Feedback Amp ---
TLV5638QDRG4 TLV5638QDRG4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12B 1 or 3.5 us DAC Serial Inp Dual DAC 1805970.pdf
LTD-2601E LTD-2601E --- Светодиодные дисплеи ---
NB2309AI1HDTG NB2309AI1HDTG --- RF Semiconductors ---