BSM30GP60

BSM30GP60
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM30GP60
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A PIM
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM30GP60
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA
Рассеяние мощности 180 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPIM2 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MIKROE-365 MIKROE-365 mikroElektronika Программаторы - на базе процессоров LV18FJ PROGRAMMING EXPERIMENTAL BOARD ---
Q8010R5 Q8010R5 Littelfuse Триаки 800V 10A 50-50-50mA 236197.pdf
TAS5414TDKDMQ1 TAS5414TDKDMQ1 Texas Instruments Усилители звука 4-Ch Auto Dig Amp 3811666.pdf
SN74HCT373DBRE4 SN74HCT373DBRE4 Texas Instruments Защелки Octal Transp D Type Latch 2998166.pdf
LFE3-70E-8FN484C LFE3-70E-8FN484C --- Программируемые логические интегральные схемы ---