BSM50GB170DN2

BSM50GB170DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM50GB170DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.52,3$
Детальное описание компонента BSM50GB170DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 72 A Ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Рассеяние мощности 500 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок Half Bridge1 Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500
order_2_3week 120

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DAC1220EVM DAC1220EVM Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных DAC1220EVM Eval Mod ---
FS-325 FS-325 Digi International Микропроцессорные модули (MPU) DIMM520 586 based 16MB SDRAM 16M Flash 1467953.pdf
MAX281BCWE+ MAX281BCWE+ Maxim Integrated Products Active Filter 5th-Order Zero-Error Bessel 9245059.pdf
MAX9583AZT+T MAX9583AZT+T Maxim Integrated Products Видеоусилители Standard-Definition Video Filter Amp 2514329.pdf
TL431AIL3T TL431AIL3T --- Схемы управления питанием ---