BSM25GD120DN2

BSM25GD120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM25GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4627787.pdf
Цены: Розн.72,52$
Детальное описание компонента BSM25GD120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A Ток утечки затвор-эмиттер 180 nA
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 2A Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500 order_2_3week 6

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LK204-25-422 LK204-25-422 Matrix Orbital Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие 20x4 Blk Txt Y/G B/G 25 key LCD 5320335.pdf
TLV3494AIPWTG4 TLV3494AIPWTG4 Texas Instruments ИС, компараторы Quad Nanopower Push- Pull Out Comparator 9500459.pdf
74LCX374MTC 74LCX374MTC Fairchild Semiconductor Триггеры Oct D-Type Flip-Flop 4387904.pdf
IS61LPD51236A-200TQLI-TR IS61LPD51236A-200TQLI-TR --- Микросхемы памяти ---
MAX6442KAORTD3+T MAX6442KAORTD3+T --- Схемы управления питанием ---