BSM25GD120DN2

BSM25GD120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM25GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4627787.pdf
Цены: Розн.72,52$
Детальное описание компонента BSM25GD120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A Ток утечки затвор-эмиттер 180 nA
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 2A Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500 order_2_3week 6

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ANT1-M24LR16E ANT1-M24LR16E STMicroelectronics Радиочастотные средства разработки M24LR16E-R Dual INT Ready PCB 45mmX75mm ---
CB185P-100 CB185P-100 --- Автоматические выключатели ---
SS-50-H-5.1-D S/C SS-50-H-5.1-D S/C --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
SMDBGA0006-S SMDBGA0006-S --- Инструменты ---
EMHB EMHB --- Аудио и видео разъемы ---