BSM15GD120DN2
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM15GD120DN2 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASE | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Цены: | Розн.128$ | ||
Детальное описание компонента BSM15GD120DN2 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 25 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 150 nA |
Рассеяние мощности | 145 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 2 | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 500 | order_2_3week | 1 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
RGL34AHE3/82 | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM | 4143347.pdf |
|
||
S4010DS2RP | Littelfuse | Комплектные тиристорные устройства (SCR) Sensing | 152125.pdf |
|
||
P2602SARP | Littelfuse | Сидаки 220V 50A DO214 2L SIDACtor Bi | 195138.pdf |
|
||
OR2C04A3T144I-DB | --- | Программируемые логические интегральные схемы | --- |
|
||
EL3H7(I)(EB)-G | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|