BSM15GD120DN2

BSM15GD120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM15GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.128$
Детальное описание компонента BSM15GD120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 25 A Ток утечки затвор-эмиттер 150 nA
Рассеяние мощности 145 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 2 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500 order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ULQ2004ADRG4 ULQ2004ADRG4 Texas Instruments Transistors Darlington Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array 9428895.pdf
MC74AC132MELG MC74AC132MELG ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 2-6V Quad 2-Input NAND Schmitt ---
MC10H102M MC10H102M ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-Input NOR ---
070-1195-300 070-1195-300 --- Лампы и держатели ---
TL431AIDCKR TL431AIDCKR --- Схемы управления питанием ---