BSM15GD120DN2

BSM15GD120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM15GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.128$
Детальное описание компонента BSM15GD120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 25 A Ток утечки затвор-эмиттер 150 nA
Рассеяние мощности 145 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 2 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500 order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
85HFLR80/F05 1/4" UNF 85HFLR80/F05 1/4" UNF Ruttonsha Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 85 Amp 800 Volt 3888344.pdf
ELM 3-630 ELM 3-630 --- Светодиодная индикация ---
GKG6R026 GKG6R026 --- Конденсаторы ---
0311773 0311773 --- Клеммные колодки ---
1729128 1729128 --- Клеммные колодки ---