BSM50GB120DN2

BSM50GB120DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM50GB120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4625471.pdf
Детальное описание компонента BSM50GB120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 78 A Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Рассеяние мощности 400 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок Half Bridge1 Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPS62290EVM-279 TPS62290EVM-279 Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием TPS62290 Eval Mod ---
RS2K-E3/1T RS2K-E3/1T Vishay/Dale Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 800 Volt 1.5A 500ns 50 Amp IFSM 4032731.pdf
MAX517BCSA+T MAX517BCSA+T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 8-Bit Precision DAC 1305850.pdf
SN74S139ADG4 SN74S139ADG4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Dual 2Line to 4Line Decodr Demultiplexer 3048760.pdf
911-420 911-420 --- Светодиодная индикация ---