BSM50GB120DN2

BSM50GB120DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM50GB120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4625471.pdf
Детальное описание компонента BSM50GB120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 78 A Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Рассеяние мощности 400 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок Half Bridge1 Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HSC2-4A-D1 HSC2-4A-D1 Hirose Connector Волоконно-оптические соединители SC/SC2 4WAY ADAPTR PNL MNT 5729484.pdf
XBP24-DMSIT-250 XBP24-DMSIT-250 Digi International Модули Zigbee / 802.15.4 XBee-PRO DigiMesh 2.4GHz50mW RPSMA ANT ---
CBTS3384PWDH CBTS3384PWDH NXP Semiconductors Функции универсальной шины CBT3384 W/SCHTKY UNDERSHT PROT 5707402.pdf
TPS2096DG4 TPS2096DG4 --- Коммутационные микросхемы ---
NCP18XM331K03RB NCP18XM331K03RB --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---