BSM15GD120DN2E3224
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM15GD120DN2E3224 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BSM15GD120DN2E3224 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 25 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 150 nA |
Рассеяние мощности | 145 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 2 | Упаковка | Reel |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
CY8CKIT-029 | Cypress Semiconductor | Средства разработки визуального вывода PSoC LCD Seg Drive Expansion Board | --- |
|
||
MAX521AEPP | Maxim Integrated Products | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) | 3225849.pdf |
|
||
MAX4764AEBC+T | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
PRG21BC4R7MM1RA | --- | Термисторы – положительный температурный коэффициент | --- |
|
||
62GB7F | --- | Аудио и видео разъемы | --- |
|