BSM100GD120DN2

BSM100GD120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM100GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4622558.pdf
Цены: Розн.137,2$
Детальное описание компонента BSM100GD120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 680 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 3A Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500
order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
101-0835 101-0835 Rabbit Semiconductor Одноплатные компьютеры BL2000 512K Flash ---
UMN1NTR UMN1NTR ROHM Semiconductor Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) SWITCH 80V 25MA 3619502.pdf
MAX4012ESA+ MAX4012ESA+ Maxim Integrated Products Быстродействующие операционные усилители High-Speed Single Supply 637796.pdf
MCP4811-E/SN MCP4811-E/SN Microchip Technology ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) Sngl 10bit DAC w/SPI interface intnl Vref 588339.pdf
SN65LVDS386DGGG4 SN65LVDS386DGGG4 Texas Instruments ИС интерфейса LVDS 16-Channel LVDS Receiver 7775762.pdf