BSM100GD120DN2

BSM100GD120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM100GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4622558.pdf
Цены: Розн.137,2$
Детальное описание компонента BSM100GD120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 680 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 3A Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500
order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX9101EUK-T MAX9101EUK-T Maxim Integrated Products ИС, компараторы 1.0V uPower Comparator 9536222.pdf
GP1UE26RK00F GP1UE26RK00F Sharp Microelectronics Инфракрасные приемники Rem Cont Receiver 3V 40 kHz 6235687.pdf
BQ2012SN-D107G4 BQ2012SN-D107G4 --- Схемы управления питанием ---
3110 BL005 3110 BL005 --- Провод - одножильный ---
HPC2C391K HPC2C391K --- Резисторы ---