BSM100GD120DN2

BSM100GD120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM100GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4622558.pdf
Цены: Розн.137,2$
Детальное описание компонента BSM100GD120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 680 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 3A Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500
order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TLC5923RHBTG4 TLC5923RHBTG4 Texas Instruments Драйверы светодиодных дисплеев 16 Ch LED Driver w/Dot Correction 4082913.pdf
MAX6439UTLRZD3+T MAX6439UTLRZD3+T --- Схемы управления питанием ---
S-80855CLNB-B7G-T2 S-80855CLNB-B7G-T2 --- Схемы управления питанием ---
10LPCV24110 10LPCV24110 --- Оптопары и оптроны ---
MX6AWT-H1-0000-0009Z5 MX6AWT-H1-0000-0009Z5 --- Светодиоды высокой мощности ---