BSM100GB120DN2
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM100GB120DN2 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BSM100GB120DN2 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Half Bridge Module |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Рассеяние мощности | 800 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | Half Bridge2 | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
THS4082IDRG4 | Texas Instruments | Быстродействующие операционные усилители 175-MHz Low-Power Vltg-Feedback Dual | 997937.pdf |
|
||
MAX5184BEEG+T | Maxim Integrated Products | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 10-Bit High Speed DAC | 2197244.pdf |
|
||
HV2706FG-G | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
02C2000JP | --- | Термисторы – отрицательный температурный коэффициент | --- |
|
||
B65807J0400A048 | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|