BSM100GB120DN2

BSM100GB120DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM100GB120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM100GB120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Рассеяние мощности 800 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок Half Bridge2 Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
THS4082IDRG4 THS4082IDRG4 Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители 175-MHz Low-Power Vltg-Feedback Dual 997937.pdf
MAX5184BEEG+T MAX5184BEEG+T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 10-Bit High Speed DAC 2197244.pdf
HV2706FG-G HV2706FG-G --- Коммутационные микросхемы ---
02C2000JP 02C2000JP --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
B65807J0400A048 B65807J0400A048 --- ЭМП и РЧП ---