BSM200GB60DLC
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BSM200GB60DLC | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A DUAL | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BSM200GB60DLC | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Dual |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 230 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Рассеяние мощности | 445 W | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Упаковка / блок | 34MM | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
| Размер фабричной упаковки | 500 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LMC6772BIM/NOPB | National Semiconductor (TI) | ИС, компараторы Dual Micropwr RRIN CMOS Comparator | 9448026.pdf |
|
|
 |
TCA785 | Infineon Technologies | Интерфейс - специализированный Phase Control IC 8V-18V 10mA | --- |
|
|
 |
FLP2V4.5-SUR | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
ECC-T3F470JG | --- | Конденсаторы | --- |
|
|
|
|
3958 | --- | Испытательные соединители | --- |
|