BSM50GD120DLC

BSM50GD120DLC
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM50GD120DLC
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.56,25$
Детальное описание компонента BSM50GD120DLC
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 85 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 350 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPACK 2A Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500 order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
OPA380AIDRG4 OPA380AIDRG4 Texas Instruments Трансимпедансные усилители High Speed Precision Transimpedance 2409753.pdf
CDC421100RGER CDC421100RGER Texas Instruments Тактовый синтезатор/устройство подавления колебаний Intgr Freq Lo-Jitter Cry Osc Clock Gen 6570690.pdf
DS90LV032ATM/NOPB DS90LV032ATM/NOPB National Semiconductor (TI) ИС интерфейса LVDS 3V LVDS QUAD CMOS DIFF LINE RECEIVER 7762054.pdf
IS61C64AL-10JLI-TR IS61C64AL-10JLI-TR --- Микросхемы памяти ---
DMS-20PC-2-BS-C DMS-20PC-2-BS-C --- Панельные измерительные приборы ---