BSM50GD120DLC
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM50GD120DLC | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Цены: | Розн.56,25$ | ||
Детальное описание компонента BSM50GD120DLC | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.4 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 85 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 350 W | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 2A | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 500 | order_2_3week | 1 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
TLVH431CPK | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
MC74LVXT8051DR2 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
372-Clear-48mmx50m | --- | Ленты и мастики | --- |
|
||
GP1500S30-.040-02-0816 | --- | Термическое сопряжение | --- |
|
||
51700-10301202AALF | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|