BSM50GD120DN2
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM50GD120DN2 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGE | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | 4619536.pdf | ||
Цены: | Розн.93$ | ||
Детальное описание компонента BSM50GD120DN2 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 72 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Рассеяние мощности | 350 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 2A | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 500 |
order_2_3week | 5 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
M29DW323DB70N6 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
EEE-HB1E221P | --- | Конденсаторы | --- |
|
||
3106 00430070 | --- | Температурные датчики | --- |
|
||
291-820/AP-RC | --- | Резисторы | --- |
|
||
TMSSCE1K11/22.09 | --- | Средства маркировки и укладки проводов и кабелей | --- |
|