BSM50GD120DN2

BSM50GD120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM50GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4619536.pdf
Цены: Розн.93$
Детальное описание компонента BSM50GD120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 72 A Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Рассеяние мощности 350 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 2A Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500
order_2_3week 5

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
M29DW323DB70N6 M29DW323DB70N6 --- Микросхемы памяти ---
EEE-HB1E221P EEE-HB1E221P --- Конденсаторы ---
3106 00430070 3106 00430070 --- Температурные датчики ---
291-820/AP-RC 291-820/AP-RC --- Резисторы ---
TMSSCE1K11/22.09 TMSSCE1K11/22.09 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---