BSM50GP120

BSM50GP120
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM50GP120
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4619035.pdf
Цены: Розн.170$
Детальное описание компонента BSM50GP120
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA
Рассеяние мощности 360 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPIM3 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500 order_2_3week 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AP-CF004GR7FS-NR AP-CF004GR7FS-NR Apacer Карты памяти CF5 SLC STD 4GB IND COMPACT FLASH CARD ---
NTSA0XR502EE1B0 NTSA0XR502EE1B0 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
HCPL-2602-000E HCPL-2602-000E --- Оптопары и оптроны ---
B-155-3805 B-155-3805 --- Рубки и рукава ---
TM3S10-C76 TM3S10-C76 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---