BSM50GP120

BSM50GP120
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM50GP120
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4619035.pdf
Цены: Розн.170$
Детальное описание компонента BSM50GP120
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA
Рассеяние мощности 360 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPIM3 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500 order_2_3week 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CY25404ZXI012 CY25404ZXI012 Cypress Semiconductor Тактовые генераторы и продукция для поддержки Quad PLL Program Clk Gen Spread Spectrum ---
MAX505BCWG MAX505BCWG Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3869454.pdf
MCZ33975EK MCZ33975EK Freescale Semiconductor Интерфейс - специализированный MULTI SW DETECT ---
SI8445BA-C-IS1 SI8445BA-C-IS1 Silicon Labs ИС, развязывающий интерфейс QuadCh 1.0kV Isolatr 150M 4/0 7737449.pdf
XMLHVW-Q2-0000-0000HS4F6 XMLHVW-Q2-0000-0000HS4F6 --- Светодиоды высокой мощности ---