BSM25GP120
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM25GP120 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | 4618746.pdf | ||
Детальное описание компонента BSM25GP120 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Array 7 |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1600 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.55 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 45 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 300 nA |
Рассеяние мощности | 230 W | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Упаковка / блок | EconoPIM2 | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MCC224-20io1 | Ixys | Дискретные полупроводниковые модули 224 Amps 2000V | --- |
|
||
NC7NP14K8X_Q | Fairchild Semiconductor | Инвертеры Triple Inverter | 544624.pdf |
|
||
NHQT102B330T10 | --- | Термисторы – отрицательный температурный коэффициент | --- |
|
||
E3F2-R4B4F | --- | Оптические детекторы и датчики | --- |
|
||
LDC432G5003B-200 | --- | Формирование сигнала | --- |
|