BSM25GP120

BSM25GP120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM25GP120
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4618746.pdf
Детальное описание компонента BSM25GP120
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Array 7
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA
Рассеяние мощности 230 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPIM2 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
OPB850-1Z OPB850-1Z --- Фотопрерыватели ---
MAL215095001E3 MAL215095001E3 --- Конденсаторы ---
DEA1X3F151JA3B DEA1X3F151JA3B --- Конденсаторы ---
MA59820JAB MA59820JAB --- Конденсаторы ---
DP1RD20JS2 DP1RD20JS2 --- Аудио и видео разъемы ---