BSM25GP120

BSM25GP120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM25GP120
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4618746.pdf
Детальное описание компонента BSM25GP120
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Array 7
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA
Рассеяние мощности 230 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPIM2 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
GBPC3504T/W GBPC3504T/W GeneSiC Semiconductor Мостовые выпрямители 400V 35A Bridge Rectifier 2911379.pdf
MAX9393EHJ MAX9393EHJ Maxim Integrated Products Аналоговые и цифровые коммутационные ИС ---
MAX19005CCS+T MAX19005CCS+T Maxim Integrated Products ИС, компараторы Quad 200Mbps Driver/Comparator ---
74AUP2G157DC-G 74AUP2G157DC-G NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 1.8V 1G L-POW 2-INPT MULTIPLEX ---
B59100M1120A070 B59100M1120A070 --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---