BSM25GP120

BSM25GP120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM25GP120
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4618746.pdf
Детальное описание компонента BSM25GP120
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Array 7
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA
Рассеяние мощности 230 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPIM2 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MCC224-20io1 MCC224-20io1 Ixys Дискретные полупроводниковые модули 224 Amps 2000V ---
NC7NP14K8X_Q NC7NP14K8X_Q Fairchild Semiconductor Инвертеры Triple Inverter 544624.pdf
NHQT102B330T10 NHQT102B330T10 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
E3F2-R4B4F E3F2-R4B4F --- Оптические детекторы и датчики ---
LDC432G5003B-200 LDC432G5003B-200 --- Формирование сигнала ---