BSM100GB120DLCK

BSM100GB120DLCK
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM100GB120DLCK
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4618474.pdf
Детальное описание компонента BSM100GB120DLCK
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 205 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 835 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок 34MM Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TP3057N TP3057N National Semiconductor (TI) Аудио-КОДЕКи 5818509.pdf
SC16C654BIB64 SC16C654BIB64 NXP Semiconductors ИС, интерфейс UART 16CB 2.5V-5V 4CH UART 64B FIFO 6244929.pdf
B59975C120A70 B59975C120A70 --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
K42X-B25P/P-A4N15 K42X-B25P/P-A4N15 --- Субминиатюрные соединители ---
86092645113H55TDLF 86092645113H55TDLF --- Прямоугольные разъемы ---