BSM100GB120DLCK

BSM100GB120DLCK
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM100GB120DLCK
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4618474.pdf
Детальное описание компонента BSM100GB120DLCK
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 205 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 835 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок 34MM Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IRKT42/06P IRKT42/06P Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 600 Volt 45 Amp ---
CD74HCT356M96G4 CD74HCT356M96G4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Hi Spd CMOS Log 8- Input Multipl/Reg 3961105.pdf
DSPIC30F6014AT-30I/PF DSPIC30F6014AT-30I/PF Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16-bit MCU/DSP 30MIPS 144KB 5955012.pdf
BQ24740RHDT BQ24740RHDT --- Схемы управления питанием ---
070-1136-200 070-1136-200 --- Лампы и держатели ---