BSM200GB120DN2

BSM200GB120DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM200GB120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4618178.pdf
Детальное описание компонента BSM200GB120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 290 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 1.4 KW Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок Half Bridge2 Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPS64201DBVT TPS64201DBVT --- Схемы управления питанием ---
TR-11SX632.2A TR-11SX632.2A --- Автоматические выключатели ---
C503B-GAS-CB0C0782 C503B-GAS-CB0C0782 --- Светодиодная индикация ---
K2CM-2M K2CM-2M --- Оптопары и оптроны ---
06880 06880 --- Панельные измерительные приборы ---