DDB6U85N12L
![]() |
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
Название: | DDB6U85N12L | ||
Описание: | Дискретные полупроводниковые модули 1200V 85A UN-CNTL | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента DDB6U85N12L | |||
Тип | Rectifier Diode Module | Вид монтажа | Through Hole |
---|---|---|---|
Упаковка / блок | DDB6 | Отпирающий ток управления (Igt) | 5 mA |
Выходной ток | 60 A | Обратное напряжение | 1200 V |
Размер фабричной упаковки | 4 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VUB50-12PO1 | Ixys | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V | 4782377.pdf |
|
|
![]() |
T1601N36TOF VT | Infineon Technologies | Комплектные тиристорные устройства (SCR) PCT 3600V 1920A | --- |
|
|
![]() |
MCP4132-502E/MS | Microchip Technology | ИС, цифровые потенциометры Digital Pot 128 step SPI Sngl Ch | 4986179.pdf |
|
|
![]() |
SN74F11N | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Triple 3-Input Positive-AND Gate | 8041050.pdf |
|
|
![]() |
AT28HC256E-90TU | --- | Микросхемы памяти | --- |
|