BAV70M T/R

BAV70M T/R
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BAV70M T/R
Описание: Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) SWITCHING DIODE
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента BAV70M T/R
Продукт Switching Diodes Пиковое обратное напряжение 100 V
Непрерывный ток в прямом направлении 0.15 A Максимальный ток перегрузки 4 A
Конфигурация Dual Common Cathode Время восстановления 4 ns
Падение напряжения в прямом направлении 1.25 V Максимальный обратный ток утечки 0.5 uA
Диапазон рабочих температур + 150 C Упаковка / блок SC-101-3
Упаковка Reel Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 65 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 10000 Другие названия товара № BAV70M,315

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
F3L75R07W2E3_B11 F3L75R07W2E3_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 75A ---
VSKT56/16P VSKT56/16P Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 1600 Volt 60 Amp ---
SN74ACT2235-40FN SN74ACT2235-40FN --- Микросхемы памяти ---
REF1004C-1.2/2K5 REF1004C-1.2/2K5 --- Схемы управления питанием ---
SN74CBTD3861DBRE4 SN74CBTD3861DBRE4 --- Коммутационные микросхемы ---