BAS101S,215
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BAS101S,215 | ||
| Описание: | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Switching 600V 0.1A 3-Pin | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | 3513296.pdf | ||
| Детальное описание компонента BAS101S,215 | |||
| Продукт | Switching Diodes | Пиковое обратное напряжение | 600 V |
|---|---|---|---|
| Непрерывный ток в прямом направлении | 100 mA | Максимальный ток перегрузки | 1 A |
| Конфигурация | Dual | Время восстановления | 50 ns |
| Падение напряжения в прямом направлении | 1.1 V | Максимальный обратный ток утечки | 150 nA |
| Максимальное рассеяние мощности | 250 mW | Диапазон рабочих температур | - 65 C to + 150 C |
| Упаковка / блок | SOT-23 | Упаковка | Reel |
| Максимальная ёмкость диода | 2 pF | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TGF2021-08 | TriQuint Semiconductor | РЧ транзисторы на арсениде галлия DC-12GHz 8mm Pwr pHEMT (0.35um) | 5397724.pdf |
|
|
 |
MAX7490EEE+ | Maxim Integrated Products | Active Filter Dual Universal Switched-Cap | 9255446.pdf9255448.pdf |
|
|
 |
25LC080D-I/MS | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
SST39WF800B-70-4I-C2QE | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
RF1960-000 | --- | Самовосстанавливающиеся предохранители | --- |
|