BAS19LT1G

BAS19LT1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BAS19LT1G
Описание: Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 120V 200mA
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 3474250.pdf
Детальное описание компонента BAS19LT1G
Продукт Switching Diodes Пиковое обратное напряжение 120 V
Непрерывный ток в прямом направлении 0.2 A Максимальный ток перегрузки 0.625 A
Конфигурация Single Время восстановления 50 ns
Падение напряжения в прямом направлении 1.25 V Максимальный обратный ток утечки 0.1 uA
Диапазон рабочих температур - 55 C to + 150 C Упаковка / блок SOT-23-3
Упаковка Reel Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BSM400GA120DN2S BSM400GA120DN2S Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE ---
PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 NXP Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS RET TAPE-7 9505361.pdf
TWL1103TPBSRQ1 TWL1103TPBSRQ1 Texas Instruments Аудио-КОДЕКи Auto Cat Voice-Band Audio Processor 5817525.pdf
CY28354OXC-400 CY28354OXC-400 Silicon Labs Тактовый буфер 273MHz Output Buffer for 4 DDR DIMMs 6086605.pdf
PEEL18CV8J-10 PEEL18CV8J-10 --- Программируемые логические интегральные схемы ---