B3W-9012-RHG2N
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | B3W-9012-RHG2N | ||
| Описание: | Переключатели | ||
| Производитель: | |||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента B3W-9012-RHG2N |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LP5900TL-1.8EV | National Semiconductor (TI) | Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием LP5900 1.8V EVAL BOARD | 9736012.pdf |
|
|
 |
IXGH17N100AU1 | Ixys | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 17 Amps 1000V | --- |
|
|
 |
PD57070-E | STMicroelectronics | РЧ транзисторы, МОП-структура RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 5484815.pdf |
|
|
 |
SN74AHC373NSRE4 | Texas Instruments | Защелки Tri-St Octal D-Type | 2553391.pdf |
|
|
|
|
CAT28C65BT13-90 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|